神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻/
神戸大学工学部電気電子工学科

原著論文

1. Takanori Akamatsu, Mitsuharu Uemoto, Yoshiyuki Egami and Tomoya Ono: GPU acceleration of overbridging boundary matching method without Green's functions based on real-space finite-difference method, Computer Physics Communications 312 109585 (2025).
2. Miku Furushima, Mitsuharu Uemoto, Dongbao Yin, Seiichiro Izawa, Ryo Shintani, Yutaka Majima and Tomoya Ono: Insertion of methylene groups into functional molecules for high thermal stability and superior functionality of single-molecule transistors: a first-principles study, New Journal of Chemistry 48 16008-16014 (2024).
3. Dongbao Yin, Miku Furushima, Eiji Tsuchihata, Seiichiro Izawa, Tomoya Ono, Ryo Shintani and Yutaka Majima: Negative Differential Resistance in Single-Molecule Junctions Based on Heteroepitaxial Spherical Au/Pt Nanogap Electrodes, Advanced Electronic Materials 2400390 (2024).
4. Hayato Adachi, Ryusuke Endo, Hikari Shinya, Hiroshi Naganuma, Tomoya Ono and Mitsuharu Uemoto: First-principle study of spin transport property in L1₀-FePd(001)/graphene heterojunction, Journal of Applied Physics 135 043902(2024).
5. Mitsuharu Uemoto, Nahoto Funaki, Kazuma Yokota, Takuji Hosoi and Tomoya Ono: Density functional theory study on effect of NO annealing for SiC(0001) surface with atomic-scale steps, Applied Physics Express, 17(1) 011009 1-5 (2024).
6. Mitsuharu Uemoto, Masaki Nishiura, and Tomoya Ono: Valley filters using graphene blister defects from first principles, Journal of Physics: Condensed Matter 36(9) 095301 1-12 (2024).
7. Takanori Akamatsu, Mitsuharu Uemoto, Yoshiyuki Egami and Tomoya Ono: GPU acceleration of conjugate gradient method obtaining Green's function for transport-property calculation, Computer Physics Communications 295 108989 (2024).
8. Kohei Kinouchi, Yasuhiko Shimotsuma, Mitsuharu Uemoto, Masanori Fujiwara, Norikazu Mizuochi, Masahiro Shimizu, Kiyotaka Miura: Laser writing of preferentially orientated nitrogen-vacancy centers in diamond, Carbon Trends 13 100318 (2023).
9. H. Naganuma, M. Uemoto, H. Adachi, H. Shinya, I. Mochizuki, M. Kobayashi, A. Hirata, B. Dlubak, T. Ono, P. Seneor, J. Robertson, K. Amemiya: Twist p_z Orbital and Spin Moment of the Wavy-Graphene/L1₀-FePd Moiré Interface, The Journal of Physical Chemistry C 127(24) 11481-11489 (2023).
10. Y. Shimotsuma, K. Kinouchi, R. Yanoshita, M. Fujiwara, N. Mizuochi, M. Uemoto, M. Shimizu, K. Miura: Formation of NV centers in diamond by a femtosecond laser single pulse, Opt. Express 31(2) 1594-1594 (2023).
11. Naoki Komatsu, Mizuho Ohmoto, Mitsuharu Uemoto, and Tomoya Ono: Density functional theory calculations for investigation of atomic structures of 4H-SiC/SiO₂ interface after NO annealing, Journal of Applied Physics 132 155701(2022).
12. Takanori Harashima, Yoshiyuki Egami, Kanji Homma, Yuki Jono, Satoshi Kaneko, Shintaro Fujii, Tomoya Ono, and Tomoaki Nishino: Unique Electrical Signature of Phosphate for Specific Single-Molecule Detection of Peptide Phosphorylation, Journal American Chemical Society 144 17449-17456 (2022).
13. Mitsuharu Uemoto, Hayato Adachi, Hiroshi Naganuma, and Tomoya Ono:Density functional study of twisted graphene L10-FePd heterogeneous interface, Journal of Applied Physics 132 095301(2022).
14. Mitsuharu Uemoto and Kazuhiro Yabana: First-principles method for nonlinear light propagation at oblique incidence, Opt. Express 30 23664-23677 (2022).
15. Mukai Tsunasaki, Tomoya Ono, and Mitsuharu Uemoto: Theoretical investigation of vacancy related defects at 4H-SiC(000-1)/SiO2 interface after wet oxidation, Japanese Journal of Applied Physics 61 SH1001 (2022).
16. Hiroshi Naganuma, Masahiko Nishijima, Hayato Adachi, Mitsuharu Uemoto, Hikari Shinya, Shintaro Yasui, Hitoshi Morioka, Akihiko Hirata, Florian Godel, Marie-Blandine Martin, Bruno Dlubak, Pierre Seneor, and Kenta Amemiya: Unveiling a Chemisorbed Crystallographically Heterogeneous Graphene/L10-FePd Interface with a Robust and Perpendicular Orbital Moment, ACS Nano 16(3) 4139-4151 (2022).
17. Yuta Hirokawa, Atsushi Yamada, Shunsuke Yamada, Masashi Noda, Mitsuharu Uemoto, Taisuke Boku, and Kazuhiro Yabana: Large-scale ab initio simulation of light-matter interaction at the atomic scale in Fugaku, The International Journal of High Performance Computing Applications 36(2) 182-197 (2022).
18. Mitsuharu Uemoto, Naoki Komatsu, Yoshiyuki Egami, and Tomoya Ono: First-principles study on structure and anisotropy of high N-atom density layer in 4H-SiC, Journal of the Physical Society of Japan 90(12) 124713 1-6 (2021).
19. Barbara Buades, Antonio Picon, Emma Berger, Iker Leon, Nicola Di Palo, Seth L. Cousin, Caterina Cocchi, Eric Pellegrin, Javier Herrero Martin, Samuel Manas-Valero, Eugenio Coronado, Thomas Danz, Claudia Draxl, Mitsuharu Uemoto, Kazuhiro Yabana, Martin Schultze, Simon Wall, Michael Zuerch, and Jens Biegert: Attosecond state-resolved carrier motion in quantum materials probed by soft x-ray XANES, Applied Physics Reviews 8(01) 011408 1-13 (2021).
20. Mitsuharu Uemoto, Shintaro Kurata, Norihito Kawaguchi, and Kazuhiro Yabana: First-principles study of ultrafast and nonlinear optical properties of graphite thin films, Physical Review B 103(08) 085433 1-12 (2021).
21. Yoshiyuki Egami, Shigeru Tsukamoto, and Tomoya Ono: Calculation of the Green's function in scattering region for first-principles electron-transport simulations, Physical Review Research 3(01) 013038 1-9 (2021).
22. M. Umar Farooq, Arqum Hashmi, Tomoya Ono, and Li Huang: Spin-valley Hall phenomena driven by Van Hove singularities in blistered graphene, npj Computational Materials 6 197 (2020).
23. Arqum Hashmi, Kenta Nakanishi, Muhammad Umar Farooq, and Tomoya Ono: Ising ferromagnetism and robust half-metallicity in two-dimensional honeycomb-kagome Cr₂O₃ layer, npj 2D Materials and Applications 4 39 (2020).
24. Arqum Hashmi, Kenta Nakanishi, and Tomoya Ono: Graphene-based Symmetric and Non-Symmetric Magnetoresistive Junctions, Journal of Physical Society of Japan 89(03) 034708 1-7 (2020).
25. Yoshiyuki Egami, Shigeru Tsukamoto, and Tomoya Ono: Efficient calculation of self-energy matrices for electron-transport simulations, Physical Review B 100(07) 075413 1-15 (2019).
26. Takanori Harashima, Yusuke Hasegawa, Satoshi Kaneko, Manabu Kiguchi, Tomoya Ono, and Tomoaki Nishino: Highly Reproducible Formation of a Polymer Single-Molecule Junction for a Well-Defined Current Signal, Angewandte Chemie International Edition 58 9109-9113 (2019).

国際会議会議録(査読付)

1. Tomoya Ono: DFT calculation for oxidation reaction of SiC(0001), Materials Science Forum 963 208-212 (2019).

学会発表

1. Mitsuharu Uemoto, Naohiro Matsumoto, Samuel Vergara, Hikari Shinya, Hiroshi Naganuma, Tomoya Ono, First-principles study of van der Waals heterostructure of 2D material and iron-based ferromagnetic alloy, APS Global Physics Summit 2025, 2025年3月20日.
2. Mitsuharu Uemoto, First-principles study of nonlinear optical response in nanostructured dielectric materials, APS Global Physics Summit 2025, 2025年3月20日.
3. Miku Furushima, Mitsuharu Uemoto, Kotaro Kajikawa, Ryo Shintani, Yutaka Majima, Tomoya Ono, Electronic transport property of a single-molecule transistor in its radical cation state, APS Global Physics Summit 2025, 2025年3月19日.
4. M. Uemoto, R. Endo, N. Matsumoto, H. Shinya, S. Vergara, H. Naganuma, T. Ono, First-principles study of atomic-scale structure and spin-transport properties of FePd and graphene heterostructures, 第20回 強的秩序とその操作に関する研究会, 2025年3月18日.
5. 松本 尚弥, 植本 光治, 小野 倫也, 第一原理計算によるNiFe/graphene界面の電子構造予測, 第20回 強的秩序とその操作に関する研究会, 2025年3月18日.
6. Takanori Akamatsu, Mitsuharu Uemoto, Yoshiyuki Egami, Tomoya Ono, GPU implementation of generalized Bloch wave calculation for the first-principles electron transport calculation, APS Global Physics Summit 2025, 2025年3月17日.
7. 杉山 耕生, 舩木 七星斗, 植本 光治, 小野 倫也, 第一原理計算を用いたNOアニール後のSiC(1-100)/SiO2界面の電子状態解析, 第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会, 2025年1月23日.
8. 植本光治, 松浦豪介, 山田俊介, 乙部智仁, 第一原理電子ダイナミクス計算による強レーザーパルスの半導体ナノ材料の光学応答解析, レーザー学会学術講演会第45回年次大会, 2025年1月21日.
9. 小野 倫也, 計算科学手法を用いた界面電子構造の解析・予測, Controlled growth and characterization 研究会2024-II, 2024年12月20日(招待講演). 　
10. 松浦豪介, 山田俊介, 乙部智仁, 植本光治, シリコンナノグレーティング構造における非線形光学応答の第一原理予測, 第35回光物性研究会, 2024年12月14日.
11. Tomoya Ono, Mitsuharu Uemoto, Nahoto Funaki, and Kosei Sugiyama: DFT study on electronic structure and carrier scattering property at 4H-SiC/SiO2 after NO annealing, 55th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 2024年12月14日.
12. 松本 尚弥, 植本 光治, 遠藤 竜佑, 小野 倫也, 第一原理計算によるFeNi/2D materials界面の原子構造解析, 学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学：社会変革に向けた物質科学のパラダイムシフト」 第8回 領域会議, 2024年12月8日.
13. 植本 光治, 遠藤 竜佑, 松本 尚弥, ヴェルガラ サミュエル, 新屋 ひかり, 永沼 博, 小野 倫也, 第一原理計算をもちいた強磁性合金・二次元物質ヘテロ界面の構造と伝導特性の解析, 阪大スピントロニクスセンター研究会, 2024年12月6日.
14. 松本 尚弥, 遠藤 竜佑, 植本 光治, ヴェルガラ サミュエル, 新屋 ひかり, 永沼 博, 小野 倫也, スピントロニクス応用向け鉄系合金界面の原子構造予測, 阪大スピントロニクスセンター研究会, 2024年12月6日.
15. Tomoya Ono, Mitsuharu Uemoto, Nahoto Funaki, and Kosei Sugiyama: DFT analysis on the electronic structure of 4H-SiC/SiO2 after NO annealing, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2024, 2024年10月2日.
16. 遠藤 竜佑, 植本 光治, 松本 尚弥, ヴェルガラ サミュエル, 新屋 ひかり, 永沼 博, 小野 倫也, 密度汎関数理論によるL1₀秩序合金/2次元物質のヘテロ界面の原子構造計算, 強的秩序とその操作に関する第19回研究会-夏の学校-, 2024年9月20日.
17. 松本 尚弥, 植本 光治, 小野 倫也, 第一原理計算を用いたFeNi/2D materialsの原子構造解析, 強的秩序とその操作に関する第19回研究会-夏の学校-, 2024年9月20日.
18. 遠藤 竜佑, 植本 光治, 松本 尚弥, ヴェルガラ サミュエル, 新屋 ひかり, 永沼 博, 小野 倫也, L10秩序合金/2次元物質界面の原子スケール構造の第一原理計算, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月20日.
19. 松本 尚弥, 植本 光治, 遠藤 竜佑, 小野 倫也, 第一原理計算によるFeNi/2D materials界面の原子構造予測, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月20日.
20. 松浦 豪介, 山田 俊介, 乙部 智仁, 植本 光治, 第一原理計算によるシリコンナノ構造の非線形光学応答予測, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月19日.
21. 杉山 耕生, 舩木 七星斗, 植本 光治, 小野 倫也, 第一原理計算によるNOアニール後のSiC/SiO₂界面の電子状態解析, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月19日.
22. 古島 弥来, 植本 光治, 小野 倫也, 単一分子架橋系の整流特性の第一原理計算による研究, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月17日.
23. Nahoto Funaki, Kosei Sugiyama, Mitsuharu Uemoto, and Tomoya Ono: DFT study on relation between electronic structure and areal N atom density at 4H-SiC/SiO₂ after NO annealing, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2024年9月4日.
24. Kosei Sugiyama, Nahoto Funaki, Mitsuharu Uemoto, and Tomoya Ono: DFT calculation for electronic structure of SiC-MOS after NO annealing, 20th International Conference on Density Functional Theory and its Applications (DFT2024), 2024年8月29日.
25. Naohiro Matsumoto, Mitsuharu Uemoto, and Tomoya Ono: DFT study on atomic structures of FeNi/2D materials, 20th International Conference on Density Functional Theory and its Applications (DFT2024), 2024年8月29日.
26. Miku Furushima, Mitsuharu Uemoto, and Tomoya Ono: Effects of inserted methylenes on yields and properties of a molecule transistor, 20th International Conference on Density Functional Theory and its Applications (DFT2024), 2024年8月29日.
27. Gosuke Matuura, Shunsuke Yamada, Mitsuharu Uemoto: First-principles prediction of nonlinear optical response in silicon nanostructures, 14th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META2024), 2024年7月19日.
28. T. Akamatsu, M. Uemoto, Y. Egami, T. Ono: GPU acceleration of calculation for generalized Bloch waves based on the real-space finite-difference method, Conference on Computational Physics 2024 (CCP2024), 2024年7月8日.
29. M. Uemoto, R. Endo, H. Shinya, H. Naganuma, T. Ono: First-principles study of electronic and spin-transport properties of FePd and graphene heterostructures, International Conference on Magnetism (ICM2024), 2024年7月5日.
30. N. Matsumoto, R. Endo, M. Uemoto, T. Ono: Density functional theory calculation for interface electronic structure and transport property of FeNi/2D layer materials, International Conference on Magnetism (ICM2024), 2024年7月5日.
31. H. Naganuma, M. Nishijima, M. Uemoto, H. Adachi, H. Shinya, I. Mochiduki, A. Hirata, S. Vergara, B. Dlubak, T. Ono, P. Seneor, J. Robertson, K. Amemiya: Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in L10-FePd/Graphene crystallographically heterointerface having Chemisorption-type of van der Waals force, International Conference on Magnetism (ICM2024), 2024年7月5日.
32. 植本光治, 舩木七星斗, 細井卓治, 小野倫也, 第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM), 2024年6月21日(招待講演).
33. Gosuke Matsuura, Shunsuke Yamada, Mitsuharu Uemoto, First-principles calculation of nonlinear optical response in silicon nanostructures, 光・量子ビーム科学合同シンポジウム2024(OPTO2024), 2024年6月6日.
34. 植本光治, ハサンワキル, 余博源, 服部梓, 田中秀和, 小野倫也, VO₂/hBNヘテロ界面の原子構造の第一原理予測, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年3月24日.
35. 植本光治, 木原康輝, 松浦豪介, 山田俊介, シリコンナノ構造による高調波発生シミュレーション II, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年3月24日.
36. 古島弥来, 植本光治, 小野倫也, 単一π共役系分子トランジスタの架橋収率向上のための化学修飾効果の第一原理計算による研究, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年3月23日.
37. 植本光治, 第一原理電子ダイナミクス計算の非線形ナノフォトニクスシミュレーション, レーザー学会学術講演会第44回年次大会, 2024年1月19日(招待講演).
38. Wakil Hasan, Mitsuharu Uemoto, Tomoya ono: Density functional study of VO2 growth on hexagonal boron nitride & graphene, JAIST International symposium on Nano-Materials for Novel Devices(JAIST-NMND 2023), 2024年1月11日
39. Gosuke Matsuura, Koki Kihara, Shunsuke Yamada, Mitsuharu Uemoto: Simulation of harmonic generation in silicon nanocylinder, JAIST International symposium on Nano-Materials for Novel Devices(JAIST-NMND 2023), 2024年1月11日
40. Mitsuharu Uemoto, Ryusuke Endo, Hikari Shinya, Hiroshi Naganuma, Tomoya Ono: First-principles study on structural and electronic properties of FePd/graphene hetero-interfaces, JAIST International symposium on Nano-Materials for Novel Devices(JAIST-NMND 2023), 2024年1月11日.
41. Tomoya Ono: Density functional theory calculation for carrier scattering at electronic device interface, International Workshop on Massively Parallel Programming for Quantum Chemistry and Physics (MPQCP 2024), 2024年1月9日(Invited).
42. 小野倫也, 計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析, 電子情報通信学会令和5年11月度SDM研究会, 2023年11月10日(招待講演).
43. Hiroshi Naganuma, Mitsuharu, Uemoto, Masahiko Nishijima, Hayato Adachi, Hikari Shinya, Izumi Mochizuki, Masaki Kobayashi, Akihiko Hirata, Bruno Dlubak, Tomoya Ono, Pierre Seneor, John Robertson, Kenta Amemiya: Twist pz Orbital and Spin Moment of the Wavy-Graphene on L10-FePd Epitaxial Films, The 68th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, 2023年10月31日.
44. Nahoto Funaki, Kazuma Yokota, Mitsuharu Uemoto, Takuji Hosoi, Tomoya Ono: Improvement of Channel Resistance at SiC/SiO2 with Atomic-scale Steps by NO Annealing, 2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023年10月25日.
45. Tomoya Ono: Density functional theory calculation for carrier scattering at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2023, 2023年9月29日(Invited).
46. 木原康輝, 松浦豪介, 山田俊介, 植本光治, 第一原理計算による半導体ナノ構造の非線形光学効果のシミュレーション, 第34回光物性研究会, 2023年12月9日.
47. 遠藤竜佑, 植本光治, 新屋ひかり, 永沼博, 小野倫也, 鉄・パラジウム合金の第一原理計算による表面構造予測, 強的秩序とその操作に関わる第17回夏の学校, 2023年9月23日.
48. 植本光治, 遠藤竜介, 新屋ひかり, 永沼博, 小野倫也, L1₀-FePd(001)/グラフェン磁気トンネル接合の第一原理伝導計算, 強的秩序とその操作に関わる第17回夏の学校, 2023年9月23日.
49. 柴田一範, 内田成明, 植本光治, 酸化マグネシウムのレーザー還元, 第８４回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年9月23日.
50. 遠藤竜佑, 植本光治, 新屋ひかり, 永沼博, 小野倫也, 強磁性金属/2次元物質のヘテロ界面の電子・磁気状態の第一原理計算, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年9月21日.
51. 植本光治, 遠藤竜介, 新屋ひかり, 永沼博, 小野倫也, FePd/グラフェン/FePdの接合のスピン伝導特性の第一原理計算, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年9月21日.
52. 松浦豪介, 木原康輝, 植本光治, シリコンナノ構造による高調波発生シミュレーション, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年9月21日.
53. 古島弥来, 植本光治, 小野倫也, 単一π共役系分子架橋系のダイオード特性の第一原理計算による研究, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年9月19日.
54. Mizuho Ohmoto, Naoki Komatsu, Mitsuharu Uemoto, Tomoya Ono: First-principles calculation for SiC/SiO2 interface atomic structure after NO annealing, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2023年9月7日
55. 植本光治, 木原康輝, 非線形ナノフォトニクスのための第一原理シミュレーション, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年3月17日.
56. 舩木 七星斗, 横田 知真, 植本 光治, 細井 卓治, 小野 倫也, ステップを持つSiC MOS界面におけるNO窒化処理の移動度改善効果の解析, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年3月16日.
57. 大本瑞穂, 小松直貴, 植本光治, 小野倫也, 窒化したSiC/SiO₂界面の第一原理電子状態計算, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 第28回研究会, 2023年2月4日.
58. 植本光治, 安達隼人, 新屋ひかり, 永沼博, 小野倫也, FePd(001)/グラフェン磁気トンネル接合における磁気抵抗率の第一原理伝導計算, 応用物理学会 強的秩序とその操作に関わる研究会 第16回研究会, 2023年1月28日.
59. 木原康輝, 植本光治, 第一原理計算によるIII-V族化合物半導体の非線形光学効果のシミュレーション, 第33回光物性研究会, 2022年12月10日.
60. Kazuma Yokota, Mitsuharu Uemoto, Tomoya Ono: First-principles study on electronic structure at step edge of SiC/SiO₂ interface, 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2022年9月28日
61. 植本光治, 安達隼人, 永沼博, 新屋ひかり, 小野倫也, FePd/グラフェンの異種結晶界面状態の第一原理計算, 応用物理学会 強的秩序とその操作に関わる夏の学校, 2022年9月23日.
62. 植本光治, 安達隼人, 永沼博, 新屋ひかり, 小野倫也, FePd/グラフェンのヘテロ界面の電子・磁気状態の第一原理計算, 第83回応用物理学会秋季講演会, 2022年9月21日.
63. 大本瑞穂, 小松直貴, 植本光治, 小野倫也, NOアニールしたSiC/SiO2界面原子構造の第一原理計算, 第83回応用物理学会秋季講演会, 2022年9月21日.
64. 木原康輝, 植本光治, 第一原理計算による固体物質の非線形光学効果のシミュレーション, 第83回応用物理学会秋季講演会, 2022年9月21日.
65. 永沼博, 植本光治, 安達隼人, 新屋ひかり, 望月出海, 平田秋彦, Bruno Dlubak, 小野倫也, Pierre Seneor, 雨宮健太, 第一原理計算によるねじれたL10-FePd/グラフェン界面におけるXASおよびXMCDスペクトルの解釈, 第83回応用物理学会秋季講演会, 2022年9月21日.
66. Tomoya Ono, DFT study on defects at SiC MOS interface: electronic structure and formation mechanism, The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022)/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022), 2022年1月11日(Invited).
67. 安達隼人, 植本光治, 永沼博, 小野倫也, FePd(001)/Graphene の第一原理計算による磁気特性の計算, 応用物理学会 強的秩序とその操作に関わる研究会 第14回研究会, 2022年1月4日.
68. 村上圭伊, 植本光治: 遷移金属カルコゲナイド系二次元物質の可飽和吸収特性の第一原理予測, 第32回光物性研究会, 2021年12月10日.
69. Mukai Tsunasaki, Mitsuharu Uemoto, Tomoya Ono: DFT Study on Defect Structures at SiC(000-1)/SiO2 Interface after Wet Oxidation, 2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES, 2021年11月16日
70. 村上圭伊, 植本光治, 遷移金属カルコゲナイド系物質の可飽和吸収特性の第一原理予測, 日本物理学会2021年秋季大会, 2021年9月23日.
71. Hiroshi Naganuma, Masahiko Nishijima, Hayato Adachi, Mitsuharu Uemoto, Hikari Shinya, Sintaro Yasui, Hitoshi Morioka, Bruno Dlubak, Pierre Seneor, Kenta Amemiya: Anisotropic orbital moment induced at graphene / L10-alloy hybrid interface, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月22日.
72. 安達隼人, 植本光治, 永沼博, 小野倫也, FePd(001)/Graphene の第一原理計算による電子状態計算, 日本物理学会2021年秋季大会, 2021年9月22日.
73. 西浦 匡紀, 植本 光治, 小野 倫也: 第一原理計算に基づくグラフェンブリスターの伝導特性評価, 日本物理学会2021年秋季大会, 2021年9月22日.
74. 横田 知真, 植本 光治, 小野 倫也, 第一原理計算によるSiC/SiO₂ステップ界面の電子状態解析, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月11日.
75. 下間 靖彦, 栗田 寅太郎, 矢野下 瑠星, 木内 康平, 藤原 正規, 水落 憲和, 植本 光治, 矢花 一浩, 清水 雅弘, 三浦 清貴, フェムト秒レーザー照射によるダイヤモンド内部へのNV中心形成, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月10日.
76. Naoki Komatsu, Yoshiyuki Egami, Tomoya Ono, Mitsuharu Uemoto: DFT study on structure and anisotropy of high N-atom density layer in 4H-SiC, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), 2021年9月8日.
77. 綱崎 夢開, 民部 優輝, 植本 光治, 小野 倫也, 第一原理計算によるwet酸化SiC(000-1)/SiO2界面の欠陥構造解析, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月18日.
78. 植本 光治, 安達 隼人, 永沼 博, 小野 倫也, Graphene/FePd(001)表面上の第一原理電子状態計算, 日本物理学会第76回年次大会, 2021年3月13日.
79. 植本 光治, 小松 直貴, 小野 倫也, 4H-SiC MOSにおける窒素添加の第一原理計算, 日本物理学会2020年秋季大会, 2020年9月11日.
80. 小松 直貴, 植本 光治, 小野 倫也, 4H-SiCバルクにおける窒素添加異方性の第一原理計算, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月10日.
81. Tomoya Ono: DFT study on carrier transport property at interface, 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019), 2019年10月29日(Invited).
82. Tomoya Ono: DFT study on carrier transport in electronic devices, 5th International Conference from Nanoparticles and Nanomaterials to Nanodevices and Nanosystems (IC4N), 2019年7月2日(Invited).

解説記事

著書

1. S. Tsukamoto and T. Ono: Quantum Transport of Nanoscale Systemt, in Topics in Nanoscience : Part II: Quantized Structures, Nanoelectronics, Thin Films, World Scientific Publishing, (2022).

受賞

1. Gosuke Matsuura, Shunsuke Yamada, Mitsuharu Uemoto, First-principles calculation of nonlinear optical response in silicon nanostructures, 光・量子ビーム科学合同シンポジウム2024(OPTO2024) ベストポスター賞.
2. 山田俊介, 廣川祐太, 飯田健二, 岩田潤一, 野田真史, 乙部智仁, 佐藤駿丞, 篠原康, 竹内嵩, 谷水城, 植本光治, 矢花一浩, 山田篤志,SALMON(Scalable Ab-initio Light-Matter simulator for Optics and Nanoscience),2023年度 HPCI ソフトウェア賞奨励賞

その他出版物

1. 木原康輝, 松浦豪介, 山田俊介, 植本光治: 第一原理計算による半導体ナノ構造の非線形光学効果のシミュレーション, 第34回光物性研究会論文集 235-238, 2023年12月9日.
2. 村上圭伊, 植本光治: 遷移金属カルコゲナイド系二次元物質の可飽和吸収特性の第一原理予測, 第32回光物性研究会論文集 75-78, 2021年12月10日.