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Research Grant (科学研究費補助金)

. 科学研究費補助金(奨励研究(A)) 平成9年度~平成10年度
「不純物をドープした半導体ナノ結晶の作製と光学特性の解明に関する研究」
平成9年度 :  1,500,000
平成10年度 : 500,000円

. 科学研究費補助金(特定領域研究(A)(領域略称:単電子デバイス)) 平成10年度~平成11年度
SiO2薄膜に埋め込まれた金属・半導体ナノ結晶の電気伝導特性に関する研究」
平成10年度 :  1,500,000
平成11年度 : 1,300,000

. 科学研究費補助金(奨励研究(A)) 平成11年度~平成12年度
Siナノ結晶へのn,p型不純物同時ドーピングによるナノpn接合の形成」
平成11年度 :  1,700,000
平成12年度 :  700,000

4. 科学研究費補助金(基盤研究(C)(2)) 平成15年度~平成17年度
Siナノ結晶への量子閉じ込め等電荷トラップの形成と高効率発光」
平成15年度 :   900,000
平成16年度 :  1,300,000
平成17年度 :  1,400,000

5.科学研究費補助金(基盤研究(B)) 平成18年度~平成20年度
「シリコンナノフォトニクスとプラズモニクスの融合による新奇フォトニクス材料の創製」
平成18年度 : 7,100,000円(+間接経費:2,130,000円)
平成19年度 : 4,700,000円(+間接経費:1,410,000円)
平成20年度 : 3,500,000円(+間接経費:1,050,000円)

6.科学研究費補助金(特定領域研究) 
「光学的手法によるナノスケールシリコン結晶中の不純物の電子状態に関する研究」
平成19年度 : 2,500,000円

7.科学研究費補助金(基盤研究(B)) 平成23年度~平成26年度
「シリコンナノ結晶への不純物ドーピングによる新機能性材料の創成」」
平成23年度 : 4,000,000円
平成24年度 : 4,500,000円
平成25年度 : 3,500,000円
平成26年度 : 2,100,000円

8.科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究) 平成24年度~平成26年度
「有機分子表面修飾を必要としない、新しいタイプの極性溶媒分散性Siナノ結晶の創成」
平成24年度 : 1,100,000円
平成25年度 : 1,100,000円
平成26年度 : 1,000,000円

9.科学研究費補助金(基盤研究(B)) 平成28年度~平成31年度
「全無機水分散性コア/シェル構造シリコン量子ドットのバイオフォトニクス応用展開」
平成28年度 : 3,800,000円
平成29年度 : 3,600,000円
平成30年度 : 3,700,000円
平成31年度 : 3,600,000円

10.科学研究費補助金(国際共同研究強化B) 平成30年度~平成31年度
"Development of biophotonics and photochemical applications of silicon quantum dots in collaboration with a consortium established for the formation of "Silicon Nanomaterrials Center" founded by US NSF"
平成30度 : 1,900,000円;
平成31度 : 2,400,000円
平成32度 : 2,300,000円
平成33度 : 2,400,000円
平成34度 : 2,500,000円
平成35度 : 2,300,000円

(その他)


4.科学研究費補助金(特別研究員奨励費(DC1:管野天))
「」
平成27年度:1,200,000円
平成28年度:1,100,000円

3.科学研究費補助金(特別研究員奨励費(DC1:杉本泰))
「」
平成26年度:1,200,000円
平成27年度:1,000,000円
平成28年度:1,000,000円

2.科学研究費補助金(特別研究員奨励費(外国人ポスドク:Soumen Dhara))
無機-有機複合ナノワイヤの歪制御と同時ドーピングによる高性能光デバイスの実現
平成24年度 :  200,000円
平成25年度 : 1,100,000円
平成26年度 : 1,000,000円

1.科学研究費補助金(特別研究員奨励費(外国人ポスドク:Hong Tao SUN))
「Siナノ結晶光増感剤による希土類イオン及び遷移金属イオンドープ光学材料の高性能化」
平成19年度 :  600,000円
平成20年度 : 1,100,000円
平成21年度 :  600,000円


Research Grant (財団、共同研究、その他)

. 財団法人新世代研究所 平成8年度研究助成
「半導体ナノ結晶の不純物ドーピングに関する研究」
平成8年度 :  1,500,000

. 財団法人稲盛財団 平成9年度稲盛財団助成金
「半導体ナノ結晶の不純物ドーピングに関する研究 - 単一サイズナノ結晶の不純物準位からの発光 -
平成9年度 :  1,000,000

. 財団法人ひょうご科学技術創造協会 奨励研究助成金
「半導体ナノ結晶の不純物ドーピングに関する研究」
平成9年度 :  1,800,000

. 神戸大学 平成9年度若手研究者研究支援制度
「ナノメーターサイズの半導体、金属結晶を用いた室温動作単電子トランジスタの実現」
平成9年度 :  1,100,000

. 神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー学内共同研究公募
「希土類元素をドープしたSiナノ結晶の作製と光学特性に関する研究」
平成10年度 :  400,000

. 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
SiGeC系混晶の光学的特性評価に関する研究助成」
平成10年度 :  500,000

. 神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー学内共同研究公募
「希土類元素をドープしたSiナノ結晶の作製と光学特性に関する研究」
平成11年度 :  350,000

8.(財)近畿地方発明センター研究開発助成
「カーボン・磁性合金ナノコンポジット薄膜の磁性研究」
平成12年度 :  1,500,000

. 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
SiGeC系混晶の光学的特性評価に関する研究助成」
平成12年度 :  500,000

10. 日本学術振興会、AvH財団fellowshipによるドイツ渡航費援助、
平成13年3月 :  200,000
平成143月 :  200,000

11. Alexander von Humboldt Research Fellowship
"Photoluminescence from donor, accepter and isoelectronic impurity doped Si dots,"
April 2001- March 2002.

12.
新エネルギー・産業技術総合開発機構、平成14年度 産業技術研究助成、平成14年度~平成16年度
Siナノ結晶をベースとする一重項酸素発生光増感剤の開発 -発生メカニズムの解明及び、化学、生物、食品分野への応用の探求ー」、
平成14年度 : 22,300,000円(+ 間接経費30%)
平成15年度 : 8,500,000円(+ 間接経費30%)
平成16年度 : 8,460,000円(+ 間接経費30%)

13.
コーニングインターナショナル株式会社、Corning Research Grant
Siナノ結晶による一重項酸素の高効率生成に関する研究助成」、
平成14年度 :  1,000,000

14.
 (共同研究) 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
SiGe薄膜のフォトルミネッセンスによる評価」
平成15年度 :  500,000

15.
新エネルギー・産業技術総合開発機構、平成17年度 産業技術研究助成 (平成14年度事業を2年延長)、平成17年度~平成18年度
Siナノ結晶をベースとする一重項酸素発生光増感剤の開発 -発生メカニズムの解明及び、化学、生物、食品分野への応用の探求ー」、
平成17年度 : 22,080,000円(+ 間接経費30%
平成18年度 : 6,000,000円(+ 間接経費30%)

16. (共同研究) 松下電器産業株式会社 映像デバイス開発センター
「ラマン散乱およびフォトルミネッセンスによるSiナノワイヤの物性評価」
平成18年度 :  2,000,000

17. 新明和記念教育財団
「キャリア補償シリコンナノ結晶におけるマルチプルエキシトン生成の実証と高性能化」
平成21年5月 : 1,000,000円


18. 村田学術振興財団、海外渡航助成
21th International Conference on Defects in Semiconductors
平成21年7月5日~7月10日 : 220,000円


19. 独立行政法人 科学技術振興機構 シーズ発掘試験
「シリコン複屈折光学素子の高性能化に関する研究」
平成21年6月~平成22年3月 : 2,000,000円(間接経費込)


20. 三菱財団
「不純物ドープシリコンナノ結晶におけるマルチプルエキシトン生成の実証と、高効率太陽電池用新材料の提案」
平成21年10月~平成22年9月 : 9,000,000円


21. 泉科学振興財団
「コア-シェル型希土類ドープアップコンバージョン粒子の開発に関する研究」
平成21年10月~平成23年3月 : 1,000,000円


22. 日本板硝子材料工学助成会
「希土類元素ドープ高効率近赤外発光ゼオライトの開発」
平成22年4月 : 1,150,000円


23. (共同研究) 松下電器産業株式会社 映像デバイス開発センター
「微結晶シリコン物性評価に関する研究」
平成22年度 : 1,000,000円(間接経費込)


24. (共同研究) 安達新産業株式会社
「Si基板陽極酸化法によるルゲートフィルターの生産技術及び特性安定化技術の開発」
平成23年度 : 2,108,000円(間接経費込)


25. 公益財団法人ひょうご科学技術協会 一般学術研究助成
「無機有機ハイブリッド近赤外発光材料の開発」
平成23年度 : 2,000,000円


26. 独立行政法人 科学技術振興機構 研究成果最適展開支援プログラム A-STEP フィージビリティスタディ【FS】ステージ 探索タイプ
「サブ波長構造紫外光用トゥルーゼロオーダー波長板の開発」
平成23年8月~平成24年3月 : 1,700,000円(直接経費:1307693円,間接経費:392307円)


27. (共同研究) パナソニック株式会社 映像デバイス開発センター
「シリコン薄膜の物性評価に関する研究」
平成23年度 : 2,000,000円(間接経費込)


28. 平成23年度 神戸大学連携創造本部、イノベーション推進事業
「深紫外-遠赤外光用サブ波長光学素子の開発」
平成23年度 : 400,000円

29. 日本学術振興会(JSPS) 二国間交流事業共同研究(日本-チェコ)
「不純物ドープSiナノ結晶:フォトニクス,バイオ応用に向けた新奇ナノマテリアル開発」
平成26年度 : 2,498,000円
平成27年度 : 2,248,200円

30. 国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)国際科学技術共同研究推進事業(戦略的国際共同研究プログラム)平成27年度 日本-V4 (Visegrad Group)共同研究「先端材料」平成27年12月~平成31年3月 (Visegrad Group (V4)-Japan Joint Research Program, Advanced Materials, Dec. 2015 - March 2019)
"Nanophotonics with Metal ? Group-IV-Semiconductor Nanocomposites: from Single Nanoobjects to Functional Ensembles"
平成27年度 : 600,000円(+間接経費 180,000円)
平成28年度 : 6,538,000円(+間接経費 1,961,400円)
平成29年度 : 4,400,000円(+間接経費 1,320,000円)
平成30年度 : 4,400,000円(+間接経費 1,320,000円)

31. (共同研究) パナソニック株式会社 先端研究本部
「Siナノ結晶のウイルスセンサ応用に関する研究」
平成28年度 : 1,820,000円(+間接経費 180,000円)

32. (共同研究) パナソニック株式会社 先端研究本部
「Siナノ結晶のウイルスセンサ応用に関する研究」
平成29年度 : 1,820,000円(+間接経費 180,000円)

33. 日本学術振興会(JSPS) 二国間交流事業共同研究(日本-オーストラリア)
「コロイド状シリコン量子ドット中のドーパント分布の原子レベル解析」
平成30年度 : 1,960,000円
平成31年度 : 1,870,000円

Contact:
Prof. Minoru FUJII
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University

Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, Japan

fujii@eedept.kobe-u.ac.jp