United States Patent (登録)
|
4. Uehara; Takashi (Osaka, JP); Yabu; Toshiki (Osaka, JP); Segawa;
Mizuki (Kyoto, JP); Nakabayashi; Takashi (Osaka, JP); Fujii; Minoru
(Hyogo, JP) “Semiconductor device and method of manufacturing the same”
United States Patent 5,946,563 August 31, 1999
3. Michikazu Matsumoto, Minoru Fujii and Toshiki Yabu, "Semiconductor device having polysilion electrode minimization resulting in a small resistance value," United States Patent 5,726,479, Mar. 10, 1998 4. 2. Takashi Uehara, Toshiki Yabu, Mizuki Segawa, Takashi Nakabayashi and Minoru Fujii, "Semiconductor device having finely configured gate electrodes," United States Patent 5,698,902, Dec. 16, 1997 3. 1. Yoshinori Odake, Teruhito Ohnishi and Minoru Fujii, "Method of manufacturing semiconductor device," United States Patent 5,500,379, Mar. 19, 1996 2. |
Japanese Patent (登録）
| 3. 藤井稔、ビクター ティモシェンコ、ドミトリー コバレフ、エーゴン グロス、ヨーヒム ディーナー、ニコライ クンツナー、「一重項酸素発生光増感剤及びそれを用いた一重項酸素発生方法」、特許第4608654号、平成１５年６月１３日 2. 藤井稔、ヨーヒム ディーナー、ニコライ クンツナー、エーゴン グロス、ドミトリー コバレフ、「シリコンで構成される偏光フィルター及びその製造方法」、特許第4403538号、平成１５年１２月１１日 1. 小竹義則、大西照人、藤井稔、「CMOS半導体装置の製造方法」、特許第3062398号、平成１２年４月２８日 Japanese Patent (出願） 1. 藤井稔，志智 慎介，「紫外線用偏光光学素子」，2010年12月1日 |
Japanese Patent (出願）
| 5. 発明の名称 ：ホウ素－リン－シリコンの三元型化合物ナノ結晶，その製造方法及びそれを用いた中性子捕獲療法用材料 発明者 ：杉本 泰 ／ 藤井 稔 ／ 今北 健二 出願番号 ：特願２０１５－２１０４６８ 出願日 ：平成２７年１０月２７日 4. 発明の名称 ：気体分子成分検出装置、検出方法および検出装置の作製方法 発明者 ：加納 伸也 ／ 藤井 稔 ／ 佐々木 誠仁 出願番号 ：特願２０１５－１６０８２５ 出願日 ：平成２７年 ８月１８日 審査請求期限 ：平成３０年 ８月１８日 出願人 ：国立大学法人神戸大学
出願番号 ：特願２０１３－１７８５４４ 出願人 ：神戸大学、旭硝子株式会社 発明者 ：今北 健二、藤井 稔、北岡 賢治 2. 出願番号 ：特願２０１２－０４０９４０ 出願人 ：神戸大学 発明者 ：今北 健二、藤井 稔、鎌田 威 1. 藤井稔，志智 慎介，「紫外線用偏光光学素子」，2010年12月1日 |
Contact:
Prof. Minoru FUJII
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of
Engineering, Kobe University
Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, Japan
